Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
350mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Séries
TMMBAT48
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Tension directe maximale Vf
1V
Courant inverse crête Ir
25μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
7.5A
Temps de recouvrement inverse crête trr
10ns
Température d'utilisation maximum
125°C
Normes/homologations
RoHS
Largeur
1.62 mm
Hauteur
1.62mm
Longueur
3.4mm
Diamètre
1.5 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,19
€ 0,062 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 6,19
€ 0,062 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,062 | € 6,19 |
| 200 - 400 | € 0,058 | € 5,84 |
| 500 - 900 | € 0,053 | € 5,27 |
| 1000+ | € 0,053 | € 5,27 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
350mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Séries
TMMBAT48
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Tension directe maximale Vf
1V
Courant inverse crête Ir
25μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
7.5A
Temps de recouvrement inverse crête trr
10ns
Température d'utilisation maximum
125°C
Normes/homologations
RoHS
Largeur
1.62 mm
Hauteur
1.62mm
Longueur
3.4mm
Diamètre
1.5 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


