Réseau de sept transistors Darlington, Non STMicroelectronics 7, 500 mA NPN, 50 V HFE:1000, 16 broches, SOIC
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Réseau de sept transistors Darlington
Courant continu de Collecteur maximum lc
500mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
SOIC
Type de montage
Surface
Nombre de broches
16
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Température minimum d'utilisation
-20°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.65mm
Longueur
10mm
Normes/homologations
No
Séries
ULN2003
Standard automobile
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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SOIC
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Surface
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16
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7
Gain en courant DC minimum hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Température minimum d'utilisation
-20°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.65mm
Longueur
10mm
Normes/homologations
No
Séries
ULN2003
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No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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