Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
1.75 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de boîtier
PDIP W
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
4
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.4 V
Taille
5.1mm
Dimensions
20 x 7.1 x 5.1mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
20mm
Largeur
7.1mm
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
€ 2,50
€ 2,50 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 2,50
€ 2,50 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
1.75 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de boîtier
PDIP W
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
4
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.4 V
Taille
5.1mm
Dimensions
20 x 7.1 x 5.1mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
20mm
Largeur
7.1mm
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.


