Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Tension Emetteur Base maximum
50 V
Type de conditionnement
PDIP W
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
18
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
8
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.1 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
23.24mm
Hauteur
3.93mm
Largeur
7.1mm
Dimensions
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
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Paquet de production (Tube)
5
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STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Tension Emetteur Base maximum
50 V
Type de conditionnement
PDIP W
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
18
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
8
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.1 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
23.24mm
Hauteur
3.93mm
Largeur
7.1mm
Dimensions
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.