Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 8, 500 mA NPN, 50 V HFE:1000, 18 broches, PDIP
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Tranzistor Darlington
Courant continu de Collecteur maximum lc
500mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
PDIP
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
18
Počet prvků na čip
8
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
1000
Température minimum de fonctionnement
-5°C
Dissipation de puissance maximum Pd
2.25W
Polarité du transistor
NPN
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Normes/homologations
No
Höhe
3.93mm
Longueur
23.24mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 21,79
€ 1,089 Each (In a Tube of 20) (hors TVA)
20
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20
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 1,089 | € 21,78 |
| 40 - 80 | € 1,025 | € 20,49 |
| 100+ | € 0,98 | € 19,59 |
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Type de Boitier
PDIP
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
18
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8
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
1000
Température minimum de fonctionnement
-5°C
Dissipation de puissance maximum Pd
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Polarité du transistor
NPN
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.6V
Maximální provozní teplota
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No
Höhe
3.93mm
Longueur
23.24mm
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Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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