Réseau de sept transistors Darlington, AEC-Q100 STMicroelectronics 7, 500 mA NPN, 50 V HFE:1000, 16 broches, PDIP
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Réseau de sept transistors Darlington
Courant continu de Collecteur maximum lc
500mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
PDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
16
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Tension Emetteur Base maximale VEBO
30V
Température de fonctionnement minimum
-40°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6V
Tension Collecteur Base maximale VCBO
30V
Température d'utilisation maximum
105°C
Taille
4.59mm
Longueur
20mm
Normes/homologations
AEC-Q100
Série
ULQ2003
Standard automobile
AEC-Q100
Pays d'origine
China
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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€ 8,23
€ 0,329 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
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Gain en courant DC minimum hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Tension Emetteur Base maximale VEBO
30V
Température de fonctionnement minimum
-40°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6V
Tension Collecteur Base maximale VCBO
30V
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105°C
Taille
4.59mm
Longueur
20mm
Normes/homologations
AEC-Q100
Série
ULQ2003
Standard automobile
AEC-Q100
Pays d'origine
China
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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