Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, PDIP, Traversant, 18 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
PDIP W
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
18
Configuration du transistor
Common Emitter
Nombre d'éléments par circuit
8
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+105 °C
Longueur
24.8mm
Hauteur
5.1mm
Largeur
7.1mm
Dimensions
24.8 x 7.1 x 5.1mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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€ 18,44
€ 3,688 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,688 | € 18,44 |
| 10 - 95 | € 3,124 | € 15,62 |
| 100 - 245 | € 2,585 | € 12,92 |
| 250 - 495 | € 2,514 | € 12,57 |
| 500+ | € 2,453 | € 12,26 |
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NPN
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0.5 A
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-50 V
Type de conditionnement
PDIP W
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
18
Configuration du transistor
Common Emitter
Nombre d'éléments par circuit
8
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+105 °C
Longueur
24.8mm
Hauteur
5.1mm
Largeur
7.1mm
Dimensions
24.8 x 7.1 x 5.1mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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