Diode Taiwan Semiconductor Diode de redressement Simple, 20 V, , 1 A Traversant 2 broches DO-41
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
20V
Configuration de diode
Single
Séries
1N581x
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
750mV
Température d'utilisation maximum
125°C
Largeur
2.7 mm
Taille
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
2.7 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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€ 258,95
€ 0,052 Each (On a Reel of 5000) (hors TVA)
5000
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Courant inverse crête Ir
1mA
Température de fonctionnement minimum
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Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
2.7 mm
Taille
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
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No
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