Diode 1N5817 Traversant Taiwan Semiconductor, 1 A Diode de redressement, 20 V, DO-41 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
20V
Séries
1N581x
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
750mV
Température de fonctionnement maximale
125°C
Largeur
2.7 mm
Hauteur
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
2.7 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 35,52
€ 0,071 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 35,52
€ 0,071 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
500
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,071 | € 7,10 |
| 1000 - 1900 | € 0,064 | € 6,42 |
| 2000 - 4900 | € 0,056 | € 5,61 |
| 5000+ | € 0,052 | € 5,16 |
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Courant continu direct maximum If
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20V
Séries
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Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
750mV
Température de fonctionnement maximale
125°C
Largeur
2.7 mm
Hauteur
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
2.7 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
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