Diode Taiwan Semiconductor Diode de redressement Simple, 30 V, , 1 A Traversant 2 broches DO-41AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Single
Séries
1N581x
Type de Diode
Rectifier Diode
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Tension directe maximale Vf
875mV
Température minimum de fonctionnement
71°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
30A
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
5.2mm
Höhe
2.7mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
Non
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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€ 207,16
€ 0,041 Each (On a Reel of 5000) (hors TVA)
5000
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2
Courant inverse crête Ir
1mA
Tension directe maximale Vf
875mV
Température minimum de fonctionnement
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Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
30A
Maximální provozní teplota
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Longueur
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Höhe
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No
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