Diode Taiwan Semiconductor Diode de redressement Simple, 30 V, , 1 A Traversant 2 broches DO-41AEC-Q101

N° de stock RS: 652-7359Marque: Taiwan SemiconductorN° de pièce Mfr: 1N5818Distrelec Article No.: 304-29-017
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

Diode

Type de support

Through Hole

Type de Boitier

DO-41

Courant continu direct maximum If

1A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

30V

Configuration de diode

Single

Séries

1N581x

Type de Diode

Diode de redressement

Nombre de broches

2

Courant inverse crête Ir

1mA

Température d'utilisation minimum

-65°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

30A

Tension directe maximale Vf

875mV

Température d'utilisation maximum

125°C

Largeur

2.7 mm

Taille

2.7mm

Longueur

5.2mm

Diamètre

2.7 mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Détails du produit

Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor

Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé

Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor

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€ 10,13

€ 0,101 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)

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Single

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2

Courant inverse crête Ir

1mA

Température d'utilisation minimum

-65°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

30A

Tension directe maximale Vf

875mV

Température d'utilisation maximum

125°C

Largeur

2.7 mm

Taille

2.7mm

Longueur

5.2mm

Diamètre

2.7 mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

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