Diode Taiwan Semiconductor Diode de redressement Simple, 30 V, , 1 A Traversant 2 broches DO-41AEC-Q101

Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Single
Séries
1N581x
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
875mV
Température d'utilisation maximum
125°C
Largeur
2.7 mm
Taille
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
2.7 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,13
€ 0,101 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 10,13
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
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Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Single
Séries
1N581x
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
875mV
Température d'utilisation maximum
125°C
Largeur
2.7 mm
Taille
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
2.7 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé

