Diode Taiwan Semiconductor Diode de redressement Simple, 40 V, , 1 A Traversant 2 broches DO-41
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Configuration de diode
Single
Séries
1N581x
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
900mV
Température d'utilisation maximum
125°C
Largeur
2.7 mm
Taille
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
2.7 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,66
€ 0,127 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Standard
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,127 | € 12,66 |
| 500 - 900 | € 0,097 | € 9,67 |
| 1000 - 1900 | € 0,084 | € 8,40 |
| 2000 - 4900 | € 0,076 | € 7,60 |
| 5000+ | € 0,069 | € 6,90 |
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Configuration de diode
Single
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Diode de redressement
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Tension directe maximale Vf
900mV
Température d'utilisation maximum
125°C
Largeur
2.7 mm
Taille
2.7mm
Longueur
5.2mm
Diamètre
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No
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