Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
3A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Configuration de diode
Single
Série
1N5822
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
500μA
Tension directe maximale Vf
950mV
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
70A
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
9.5mm
Hauteur
5.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 2 à 9 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 25,02
€ 0,25 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Standard
100
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Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
3A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Configuration de diode
Single
Série
1N5822
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
500μA
Tension directe maximale Vf
950mV
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
70A
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
9.5mm
Hauteur
5.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 2 à 9 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé


