Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
70mA
Tension inverse de crête répétitive
70V
Configuration de diode
Series
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
€ 4,21
€ 0,042 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 4,21
€ 0,042 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,042 | € 4,21 |
200 - 200 | € 0,041 | € 4,09 |
300 - 300 | € 0,039 | € 3,86 |
400 - 400 | € 0,036 | € 3,62 |
500+ | € 0,034 | € 3,39 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
70mA
Tension inverse de crête répétitive
70V
Configuration de diode
Series
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé