Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
70mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
70V
Configuration de diode
Cathode commune
Série
BAS70
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
3
Courant inverse crête Ir
100nA
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100mA
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
125°C
Taille
0.95mm
Longueur
3.05mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,59
€ 0,062 Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
Standard
250
€ 15,59
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Standard
250
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Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
70mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
70V
Configuration de diode
Cathode commune
Série
BAS70
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
3
Courant inverse crête Ir
100nA
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100mA
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
125°C
Taille
0.95mm
Longueur
3.05mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé


