Diode Taiwan Semiconductor Diode Schottky Cathode commune, 30 V, 5 ns, 200 mA Surface 3 broches SOT-23
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de produit
Diode
Type de montage
Montage en surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
200mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Common Cathode
Série
BAT54
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
3
Courant inverse crête Ir
2μA
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
600mA
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
60°C
Taille
0.95mm
Longueur
3.05mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,70
€ 0,037 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Standard
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,037 | € 3,70 |
| 200 - 300 | € 0,033 | € 3,35 |
| 400 - 700 | € 0,031 | € 3,12 |
| 800 - 1400 | € 0,029 | € 2,89 |
| 1500+ | € 0,022 | € 2,20 |
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30V
Configuration de diode
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Série
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Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
3
Courant inverse crête Ir
2μA
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
600mA
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
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Taille
0.95mm
Longueur
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