Diode Taiwan Semiconductor Diode Schottky Cathode commune, 30 V, 5 ns, 200 mA Surface 3 broches SOT-23
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
200mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Cathode commune
Série
BAT54
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
3
Tension directe maximale Vf
1V
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
600mA
Courant inverse crête Ir
2μA
Température minimum d'utilisation
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Longueur
3.05mm
Normes/homologations
No
Hauteur
0.95mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,70
€ 0,033 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 6,70
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Paquet de production (Bobine)
200
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 300 | € 0,033 | € 3,35 |
| 400 - 700 | € 0,031 | € 3,12 |
| 800 - 1400 | € 0,029 | € 2,89 |
| 1500+ | € 0,022 | € 2,20 |
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Surface
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30V
Configuration de diode
Cathode commune
Série
BAT54
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
3
Tension directe maximale Vf
1V
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
600mA
Courant inverse crête Ir
2μA
Température minimum d'utilisation
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Longueur
3.05mm
Normes/homologations
No
Hauteur
0.95mm
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No
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Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
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