Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
600mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
€ 3,68
€ 0,037 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 3,68
€ 0,037 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,037 | € 3,68 |
200 - 300 | € 0,033 | € 3,33 |
400 - 700 | € 0,031 | € 3,09 |
800 - 1400 | € 0,03 | € 2,97 |
1500+ | € 0,023 | € 2,26 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
600mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé