Diode Taiwan Semiconductor Diode Schottky Série, 30 V, 5 ns, 200 mA Surface 3 broches SOT-23
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Montage en surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
200mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Series
Série
BAT54
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
2μA
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
600mA
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
60°C
Taille
0.95mm
Longueur
3.05mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,54
€ 0,055 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Standard
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,055 | € 5,54 |
| 500 - 900 | € 0,045 | € 4,50 |
| 1000 - 1900 | € 0,043 | € 4,27 |
| 2000 - 3900 | € 0,04 | € 4,04 |
| 4000+ | € 0,04 | € 4,04 |
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30V
Configuration de diode
Series
Série
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Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
2μA
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
600mA
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
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Taille
0.95mm
Longueur
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No
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