Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Série, 200 mA 70 mV, 3 broches, SOT-23

N° de stock RS: 687-2801Marque: Taiwan SemiconductorN° de pièce Mfr: BAV99 RF
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Documents techniques

Spécifications

Configuration de diode

Series

Type de produit

Jonction au silicium

Courant direct maximum If

200mA

Sous type

Silicon Junction

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOT-23

Nombre de broches

3

Dissipation de puissance maximum Pd

225mW

Temps de recouvrement inverse crête trr

6ns

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

70mV

Tension directe maximale Vf

1.25V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

2A

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4 mm

Longueur

3.05mm

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Diodes de commutation petits signaux, Taiwan Semiconductor

Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor

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Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 70V SOT-23, 3 broches
Prix ​​sur demandeEach (Supplied as a Tape) (hors TVA)

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 11,54

€ 0,058 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
200 - 200€ 0,058€ 11,54
400 - 400€ 0,045€ 9,00
600 - 600€ 0,042€ 8,31
800 - 800€ 0,04€ 8,08
1000+€ 0,039€ 7,85

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SOT-23

Nombre de broches

3

Dissipation de puissance maximum Pd

225mW

Temps de recouvrement inverse crête trr

6ns

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70mV

Tension directe maximale Vf

1.25V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

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2A

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4 mm

Longueur

3.05mm

Hauteur

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