Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Série, 200 mA 70 mV, 3 broches, SOT-23
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Series
Type du produit
Jonction au silicium
Maximální dopředný proud If
200mA
Sous type
Silikonový přechod
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Nombre de broche
3
Dissipation de puissance maximum Pd
225mW
Špičková doba zpětného zotavení trr
6ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
70mV
Maximální dopředné napětí Vf
1.25V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
2A
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
3.05mm
Höhe
1.1mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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€ 11,55
€ 0,058 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
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Standard
200
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,058 | € 11,55 |
| 400 - 400 | € 0,045 | € 9,01 |
| 600 - 600 | € 0,042 | € 8,32 |
| 800 - 800 | € 0,04 | € 8,09 |
| 1000+ | € 0,039 | € 7,86 |
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Surface
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3
Dissipation de puissance maximum Pd
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6ns
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Maximální dopředné napětí Vf
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Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
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Maximální provozní teplota
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Longueur
3.05mm
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