Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
65 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température maximale d'utilisation
150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.2mm
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 82,50
€ 0,027 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 82,50
€ 0,027 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
65 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température maximale d'utilisation
150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.2mm
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.