Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.2mm
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.2mm
Détails du produit


