Diode HER202G Traversant Taiwan Semiconductor, 2 A Commutation, 100 V, DO-15 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de produit
Diode
Type de Boitier
DO-15
Courant continu direct maximum If
2A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Séries
HER202G
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Switching
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
5μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
60A
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
3.6 mm
Hauteur
3.6mm
Longueur
7.6mm
Diamètre
3.6 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diodes de redressement, 1,5 à 2 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 61,46
€ 0,246 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
250
€ 61,46
€ 0,246 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
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Paquet de production (Bande)
250
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 250 - 475 | € 0,246 | € 6,15 |
| 500 - 1225 | € 0,24 | € 6,00 |
| 1250 - 2475 | € 0,233 | € 5,83 |
| 2500+ | € 0,227 | € 5,68 |
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Diode
Type de Boitier
DO-15
Courant continu direct maximum If
2A
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100V
Séries
HER202G
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Switching
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
5μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
60A
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
3.6 mm
Hauteur
3.6mm
Longueur
7.6mm
Diamètre
3.6 mm
Normes/homologations
No
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AEC-Q101
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