Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorCourant direct moyen
4A
Type de pont
Single Phase
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Type de fixation
Through Hole
Type de boîtier
KBL
Nombre de broches
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A
Température de fonctionnement maximale
+125 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1.1V
Courant inverse crête
10µA
Longueur
19.6mm
Dimensions
19.6 x 6.48 x 16.38mm
Hauteur
16.38mm
Largeur
6.48mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorCourant direct moyen
4A
Type de pont
Single Phase
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Type de fixation
Through Hole
Type de boîtier
KBL
Nombre de broches
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A
Température de fonctionnement maximale
+125 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1.1V
Courant inverse crête
10µA
Longueur
19.6mm
Dimensions
19.6 x 6.48 x 16.38mm
Hauteur
16.38mm
Largeur
6.48mm


