Diode Taiwan Semiconductor Diode Schottky Cathode commune, 100 V, , 60 A Traversant 3 broches TO-3PAEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
TO-3P
Courant continu direct maximum If
60A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Configuration de diode
Společná katoda
Type de Diode
Schottky
Nombre de broche
3
Courant inverse crête Ir
1mA
Tension directe maximale Vf
0.98V
Température minimum de fonctionnement
71°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
500A
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
16.4mm
Höhe
21.3mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
Non
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 10 à 60 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 130,87
€ 2,617 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 130,87
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,617 | € 130,87 |
| 250 - 950 | € 2,094 | € 104,71 |
| 1000 - 2450 | € 1,964 | € 98,18 |
| 2500+ | € 1,701 | € 85,07 |
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Configuration de diode
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Type de Diode
Schottky
Nombre de broche
3
Courant inverse crête Ir
1mA
Tension directe maximale Vf
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Température minimum de fonctionnement
71°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
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Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
16.4mm
Höhe
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No
Automobilový standard
Non
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Diodes barrières Schottky, 10 à 60 A, Taiwan Semiconductor
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