Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
150μA
Tension directe maximale Vf
890mV
Température d'utilisation minimale
71°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
125A
Temps de recouvrement inverse crête trr
25ns
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
0.375pouce
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 22,12
€ 0,442 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 22,12
€ 0,442 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,442 | € 4,42 |
| 100 - 190 | € 0,431 | € 4,31 |
| 200 - 390 | € 0,418 | € 4,18 |
| 400+ | € 0,41 | € 4,10 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
150μA
Tension directe maximale Vf
890mV
Température d'utilisation minimale
71°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
125A
Temps de recouvrement inverse crête trr
25ns
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
0.375pouce
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit


