Diode MUR420 Traversant Taiwan Semiconductor, 4 A Usage général, 200 V, DO-201AD 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
150μA
Tension directe maximale Vf
890mV
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
125A
Temps de recouvrement inverse crête trr
25ns
Température maximale d'utilisation
150°C
Longueur
9.5mm
Diamètre
5.6 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 21,94
€ 0,439 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 21,94
€ 0,439 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,439 | € 4,39 |
| 100 - 190 | € 0,427 | € 4,27 |
| 200 - 390 | € 0,415 | € 4,15 |
| 400+ | € 0,407 | € 4,07 |
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Type de Boitier
DO-201AD
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4A
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200V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
150μA
Tension directe maximale Vf
890mV
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
125A
Temps de recouvrement inverse crête trr
25ns
Température maximale d'utilisation
150°C
Longueur
9.5mm
Diamètre
5.6 mm
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No
Standard automobile
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