Diode Traversant Taiwan Semiconductor, 4 A Usage général, 600 V, DO-201AD 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
600V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
250μA
Tension directe maximale Vf
1.28V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
70A
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Température de fonctionnement maximale
150°C
Longueur
9.5mm
Diamètre
5.6 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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€ 317,96
€ 0,254 Each (On a Reel of 1250) (hors TVA)
1250
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Température minimum de fonctionnement
-65°C
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Longueur
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Diamètre
5.6 mm
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