Diode Taiwan Semiconductor Usage général Simple, 600 V, 50 ns, 4 A Traversant 2 broches DO-201ADAEC-Q101

Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de produit
Diode
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
600V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broche
2
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
70A
Courant inverse crête Ir
250μA
Tension directe maximale Vf
1.28V
Température d'utilisation minimale
71°C
Température d'utilisation maximum
60°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Normes/homologations
IEC 60664-1
Longueur
0.375pouce
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,69
€ 0,469 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,69
€ 0,469 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,469 | € 4,69 |
| 30 - 50 | € 0,42 | € 4,20 |
| 60 - 110 | € 0,383 | € 3,84 |
| 120 - 230 | € 0,344 | € 3,44 |
| 240+ | € 0,318 | € 3,18 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de produit
Diode
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
600V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
General Purpose
Nombre de broche
2
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
70A
Courant inverse crête Ir
250μA
Tension directe maximale Vf
1.28V
Température d'utilisation minimale
71°C
Température d'utilisation maximum
60°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Normes/homologations
IEC 60664-1
Longueur
0.375pouce
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit

