Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOD-123
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
600mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.5A
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Prix sur demande
Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
250
Prix sur demande
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250
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Brand
Taiwan SemiconductorType de fixation
CMS
Type de conditionnement
SOD-123
Courant direct continu maximum
350mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type diode
Schottky
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
600mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.5A
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé