Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
DO-214AC
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
150V
Configuration de diode
Single
Série
SS115
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
100μA
Tension directe maximale Vf
0.95V
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
4.6mm
Hauteur
2.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,53
€ 0,191 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 9,53
€ 0,191 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,191 | € 9,53 |
| 250 - 450 | € 0,143 | € 7,16 |
| 500 - 2450 | € 0,124 | € 6,18 |
| 2500 - 4950 | € 0,105 | € 5,26 |
| 5000+ | € 0,096 | € 4,79 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType du produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
DO-214AC
Courant continu direct maximum If
1A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
150V
Configuration de diode
Single
Série
SS115
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
100μA
Tension directe maximale Vf
0.95V
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
30A
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
4.6mm
Hauteur
2.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé


