Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de montage
CMS
Gehäusegröße
SOIC N
Typ napájení
Double
Počet kanálů na čip
1
Nombre de broche
8
Produit gain bande typique
22MHz
Versorgungsspannung bipolar typ.
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Slew Rate typique
28V/µs
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Gain en tension typique
126 (gain en boucle ouverte) dB
Densité tension/bruit d'entrée typique
4nV/√Hz
Höhe
1.58mm
Rozměry
4.9 x 3.91 x 1.58mm
Longueur
4.9mm
Largeur
3.91mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de montage
CMS
Gehäusegröße
SOIC N
Typ napájení
Double
Počet kanálů na čip
1
Nombre de broche
8
Produit gain bande typique
22MHz
Versorgungsspannung bipolar typ.
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Slew Rate typique
28V/µs
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Gain en tension typique
126 (gain en boucle ouverte) dB
Densité tension/bruit d'entrée typique
4nV/√Hz
Höhe
1.58mm
Rozměry
4.9 x 3.91 x 1.58mm
Longueur
4.9mm
Largeur
3.91mm


