Non Texas Instruments MOSFET UC3709N MOSFET 2 1.5 A, 8 broches 40 V, PDIP
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de produit
MOSFET
Courant de sortie
1.5A
Nombre de broches
8
Type de Boitier
PDIP
Temps de descente
60ns
Nombre de sorties
2
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
80ns
Tension d'alimentation minimale
40V
Tension d'alimentation maximale
40V
Nombre de drivers
2
Température minimum de fonctionnement
0°C
Température de fonctionnement maximale
70°C
Largeur
6.35 mm
Séries
UC3709
Hauteur
4.57mm
Longueur
9.81mm
Normes/homologations
No
Type de montage
Through Hole
Standard automobile
No
Détails du produit
Drivers IGBT et MOSFET, jusqu'à 2,5 A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,58
€ 15,58 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 15,58
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 15,58 |
| 2 - 9 | € 14,96 |
| 10 - 14 | € 14,54 |
| 15 - 24 | € 14,02 |
| 25+ | € 13,75 |
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8
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PDIP
Temps de descente
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Nombre de sorties
2
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
80ns
Tension d'alimentation minimale
40V
Tension d'alimentation maximale
40V
Nombre de drivers
2
Température minimum de fonctionnement
0°C
Température de fonctionnement maximale
70°C
Largeur
6.35 mm
Séries
UC3709
Hauteur
4.57mm
Longueur
9.81mm
Normes/homologations
No
Type de montage
Through Hole
Standard automobile
No
Détails du produit
Drivers IGBT et MOSFET, jusqu'à 2,5 A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.
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