Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
20A
Nombre de broche
5
Type de Boitier
SOT-23
Temps de descente
7ns
Type de driver
MOSFET
Čas náběhu
8ns
Tension d'alimentation minimale
18V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximum
18V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
140°C
Longueur
3.05mm
Höhe
1.45mm
Normes/homologations
No
Série
UCC2751x
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Détails du produit
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 135,15
€ 0,541 Each (On a Reel of 250) (hors TVA)
250
€ 135,15
€ 0,541 Each (On a Reel of 250) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
250
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 250 - 250 | € 0,541 | € 135,15 |
| 500 - 1000 | € 0,514 | € 128,50 |
| 1250+ | € 0,486 | € 121,57 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
20A
Nombre de broche
5
Type de Boitier
SOT-23
Temps de descente
7ns
Type de driver
MOSFET
Čas náběhu
8ns
Tension d'alimentation minimale
18V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximum
18V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
140°C
Longueur
3.05mm
Höhe
1.45mm
Normes/homologations
No
Série
UCC2751x
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Détails du produit
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.


