Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
20A
Nombre de broche
5
Temps de descente
7ns
Type de Boitier
SOT-23
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
8ns
Tension d'alimentation minimale
18V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximum
18V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
140°C
Longueur
3.05mm
Höhe
1.45mm
Normes/homologations
No
Série
UCC2751x
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Détails du produit
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 19,64
€ 0,785 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 19,64
€ 0,785 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 0,785 | € 3,93 |
| 50 - 120 | € 0,709 | € 3,55 |
| 125 - 245 | € 0,638 | € 3,19 |
| 250+ | € 0,631 | € 3,15 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
20A
Nombre de broche
5
Temps de descente
7ns
Type de Boitier
SOT-23
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
8ns
Tension d'alimentation minimale
18V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximum
18V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
140°C
Longueur
3.05mm
Höhe
1.45mm
Normes/homologations
No
Série
UCC2751x
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Détails du produit
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.


