Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
230 V
Type d'emballage
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Gain en courant DC minimum
55
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
230 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
15.5 x 4.5 x 20mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 9,72
€ 1,943 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 9,72
€ 1,943 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,943 | € 9,72 |
| 25 - 45 | € 1,466 | € 7,33 |
| 50 - 120 | € 1,314 | € 6,57 |
| 125 - 245 | € 1,212 | € 6,06 |
| 250+ | € 1,177 | € 5,89 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
230 V
Type d'emballage
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Gain en courant DC minimum
55
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
230 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
15.5 x 4.5 x 20mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.