IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaCourant continu de Collecteur maximum
20 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±25V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
100kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 12,51
€ 2,50 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 5 - 9 | € 2,50 |
| 10 - 24 | € 2,35 |
| 25 - 49 | € 2,22 |
| 50+ | € 2,10 |
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Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
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Single
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
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150 °C
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IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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