MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 15 A 40 V, 3 broches

N° de stock RS: 133-2798Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK15S04N1L,LQ(O
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

15 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

U-MOSVIII-H

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

37 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

46 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.5mm

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

10 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

2.3mm

Pays d'origine

Japan

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 4,39

€ 0,877 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 15 A 40 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 4,39
10€ 8,77
15€ 13,16
20€ 17,55
25€ 18,64
30€ 22,37
35€ 26,09
40€ 29,82
45€ 33,55
50€ 36,03
55€ 39,63
60€ 43,23
65€ 46,84
70€ 50,44
75€ 54,04

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45€ 33,55
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 0,877€ 4,39
25 - 45€ 0,746€ 3,73
50 - 245€ 0,721€ 3,60
250 - 495€ 0,698€ 3,49
500+€ 0,673€ 3,36

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

15 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

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Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

37 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

46 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.5mm

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

10 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

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