MOSFET Toshiba canal N, A-220 157 A 80 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
157 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
U-MOSVIII-H
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
192 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
81 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
15.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
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€ 6,59
€ 1,318 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 6,59
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,318 | € 6,59 |
| 25 - 45 | € 0,793 | € 3,97 |
| 50 - 120 | € 0,723 | € 3,61 |
| 125 - 245 | € 0,716 | € 3,58 |
| 250+ | € 0,705 | € 3,52 |
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N
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157 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
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Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
192 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
81 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
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