MOSFET Toshiba canal N, SOP 32 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 133-2808Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TPH11003NL,LQ(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

32 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

U-MOSVIII-H

Type de boîtier

FM, SOP

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

16 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.3V

Tension de seuil minimale de la grille

1.3V

Dissipation de puissance maximum

21 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5mm

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

7,5 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

0.95mm

Pays d'origine

Japan

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 4,32

€ 0,432 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, SOP 32 A 30 V, 8 broches

10

Disponible en multiples de 10
10€ 4,32
20€ 8,64
30€ 12,96
40€ 17,27
50€ 21,59
60€ 25,91
70€ 30,23
80€ 34,55
90€ 38,87
100€ 43,19
110€ 47,51
120€ 51,82
130€ 56,14
140€ 60,46
150€ 64,78

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N

Courant continu de Drain maximum

32 A

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Série

U-MOSVIII-H

Type de boîtier

FM, SOP

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

16 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.3V

Tension de seuil minimale de la grille

1.3V

Dissipation de puissance maximum

21 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5mm

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

7,5 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

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