MOSFET Toshiba canal N, SOP 38 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37,9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
U-MOSVIII-H
Type de boîtier
FM, SOP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12.7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
24 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,8 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.95mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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S'INSCRIRE GRATUITEMENT
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€ 7,18
€ 0,359 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
€ 7,18
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,359 | € 7,18 |
| 100 - 180 | € 0,33 | € 6,59 |
| 200 - 980 | € 0,322 | € 6,43 |
| 1000 - 1980 | € 0,309 | € 6,18 |
| 2000+ | € 0,301 | € 6,02 |
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N
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37,9 A
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Série
U-MOSVIII-H
Type de boîtier
FM, SOP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12.7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
24 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,8 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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