MOSFET Toshiba canal N, TSON 31 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
U-MOSVIII-H
Type de boîtier
TSON
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.1mm
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.85mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 4,80
€ 0,24 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,24 | € 4,80 |
| 100 - 180 | € 0,203 | € 4,07 |
| 200 - 980 | € 0,189 | € 3,77 |
| 1000 - 1980 | € 0,182 | € 3,64 |
| 2000+ | € 0,176 | € 3,52 |
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ToshibaType de canal
N
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31 A
Tension Drain Source maximum
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Série
U-MOSVIII-H
Type de boîtier
TSON
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.1mm
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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