MOSFET Toshiba canal N, TSON 22 A 80 V, 8 broches

N° de stock RS: 133-2814Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TPN30008NH,LQ(S
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

22 A

Tension Drain Source maximum

80 V

Série

U-MOSVIII-H

Type de boîtier

TSON

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

30 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

27 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

3.1mm

Longueur

3.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

11 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

0.85mm

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 6,09

€ 0,305 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, TSON 22 A 80 V, 8 broches

20

Disponible en multiples de 20
20€ 6,09
40€ 12,18
60€ 18,27
80€ 24,37
100€ 30,46
120€ 36,55
140€ 42,64
160€ 48,73
180€ 54,82
200€ 60,92
220€ 67,01
240€ 73,10
260€ 79,19
280€ 85,28
300€ 91,37

€ 6,09

€ 0,305 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, TSON 22 A 80 V, 8 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

20

Disponible en multiples de 20
20€ 6,09
40€ 12,18
60€ 18,27
80€ 24,37
100€ 30,46
120€ 36,55
140€ 42,64
160€ 48,73
180€ 54,82
200€ 60,92
220€ 67,01
240€ 73,10
260€ 79,19
280€ 85,28
300€ 91,37

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

22 A

Tension Drain Source maximum

80 V

Série

U-MOSVIII-H

Type de boîtier

TSON

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

30 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

27 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

3.1mm

Longueur

3.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

11 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

0.85mm

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus