Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
30 W
Gain en courant DC minimum
120
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 7,01
€ 1,402 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 7,01
€ 1,402 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,402 | € 7,01 |
25+ | € 1,191 | € 5,95 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
30 W
Gain en courant DC minimum
120
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit