MOSFET Vishay canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,4 nC @ -4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.02mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 8,86
€ 0,089 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,4 nC @ -4,5 V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
1.4mm
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