Documents techniques
Spécifications
Brand
VishaySpectres détectés
Infrarouge, Lumière visible
Temps de chute
5µs
Temps de croissance
6µs
Nombre de voies
1
Courant photoélectrique maximum
20000µA
Courant d'obscurité maximum
100nA
Angle de sensibilité moyenne
20 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
3
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-18
Dimensions
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Courant de collecteur
50mA
Longueur d'onde maximum détectée
1080nm
Gamme spectrale de sensibilité
450 → 1 080 nm
Longueur d'onde minimum détectée
450nm
Longueur
5.5mm
Largeur
5.5mm
Taille
6.15mm
Détails du produit
Phototransistors séries BPW77NA et BPW77NB
Les séries BPW77NA et BPW77NB, de Vishay Semiconductor, constituent une gamme de phototransistors NPN silicium. Elles sont fournies dans des boîtiers TO-18 hermétiques avec une lentille en verre. Les phototransistors BPW77NA et BPW77NB sont sensibles aux rayonnements visible et IR. Ce sont des composants idéals en tant que détecteurs électroniques dans les circuits de commande et de variateur.
Caractéristiques des phototransistors BPW77NA et BPW77NB :
Boîtier TO-18
Ø 4,7 mm
Montage traversant
Haute photo-sensibilité
Forte sensibilité rayonnante
Temps de réponse rapides
Température d'utilisation : -40 à +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
€ 16,22
€ 3,245 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
5
€ 16,22
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Infrarouge, Lumière visible
Temps de chute
5µs
Temps de croissance
6µs
Nombre de voies
1
Courant photoélectrique maximum
20000µA
Courant d'obscurité maximum
100nA
Angle de sensibilité moyenne
20 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
3
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-18
Dimensions
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Courant de collecteur
50mA
Longueur d'onde maximum détectée
1080nm
Gamme spectrale de sensibilité
450 → 1 080 nm
Longueur d'onde minimum détectée
450nm
Longueur
5.5mm
Largeur
5.5mm
Taille
6.15mm
Détails du produit
Phototransistors séries BPW77NA et BPW77NB
Les séries BPW77NA et BPW77NB, de Vishay Semiconductor, constituent une gamme de phototransistors NPN silicium. Elles sont fournies dans des boîtiers TO-18 hermétiques avec une lentille en verre. Les phototransistors BPW77NA et BPW77NB sont sensibles aux rayonnements visible et IR. Ce sont des composants idéals en tant que détecteurs électroniques dans les circuits de commande et de variateur.
Caractéristiques des phototransistors BPW77NA et BPW77NB :
Boîtier TO-18
Ø 4,7 mm
Montage traversant
Haute photo-sensibilité
Forte sensibilité rayonnante
Temps de réponse rapides
Température d'utilisation : -40 à +125 °C