Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayRésistance
1 kΩ, 9 kΩ, 9 MΩ, 90 kΩ, 900kΩ
Nombre de résistances
5
Type de résistance
Network
Boîtier
SIP
Puissance nominale
0.6W
Style de terminaison
Through Hole
Tolérance
±0.1%
Style du boîtier
Conformal
Puissance par résistance
0.1W
Désignation du circuit
VOLT/D
Longueur
21.08mm
Profondeur
2.54mm
Taille
7mm
Dimensions
2.54 x 7 x 21.08mm
Nombre de bornes
6
Série
ORN
Température de fonctionnement minimum
0°C
Coefficient de température
±25ч/млн/°C
Température maximum de fonctionnement
+70°C
Pays d'origine
France
Détails du produit
Réseau diviseur à 5 décades
Réseau diviseur à décades utilisant des résistances à couche mince haute stabilité à faible tolérance.
Une plus petite taille, un meilleur tracking et une plus grande fiabilité que les réseaux diviseurs discrets. De plus, son coût est inférieur.
La résistance totale de la chaîne de diviseur est de 10 MΩ ±0,1 %
€ 89,26
€ 89,26 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 89,26
€ 89,26 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 1 | € 89,26 |
2 - 4 | € 87,48 |
5 - 9 | € 84,81 |
10 - 24 | € 80,34 |
25+ | € 78,55 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayRésistance
1 kΩ, 9 kΩ, 9 MΩ, 90 kΩ, 900kΩ
Nombre de résistances
5
Type de résistance
Network
Boîtier
SIP
Puissance nominale
0.6W
Style de terminaison
Through Hole
Tolérance
±0.1%
Style du boîtier
Conformal
Puissance par résistance
0.1W
Désignation du circuit
VOLT/D
Longueur
21.08mm
Profondeur
2.54mm
Taille
7mm
Dimensions
2.54 x 7 x 21.08mm
Nombre de bornes
6
Série
ORN
Température de fonctionnement minimum
0°C
Coefficient de température
±25ч/млн/°C
Température maximum de fonctionnement
+70°C
Pays d'origine
France
Détails du produit
Réseau diviseur à 5 décades
Réseau diviseur à décades utilisant des résistances à couche mince haute stabilité à faible tolérance.
Une plus petite taille, un meilleur tracking et une plus grande fiabilité que les réseaux diviseurs discrets. De plus, son coût est inférieur.
La résistance totale de la chaîne de diviseur est de 10 MΩ ±0,1 %