Diode TVS Bidirectionnel, claq. 4V, 7.5V SOT-23, 3 broches, dissip. 509W
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de direction
Bidirectionnel
Configuration de diode
Dual
Tension de pincement maximum
7.5V
Tension de claquage
4V
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Tension inverse maximum à l'état bloqué
3.3V
Nombre de broche
3
Dissipation de puissance crête d'impulsion
509W
Courant d'impulsion crête maximum
30A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.97mm
Largeur
1.43mm
Courant de test
1mA
Courant de fuite inverse maximum
100µA
Standard automobile
AEC-Q101
Capacité
600pF
Longueur
3.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Protection contre les ESD à deux lignes, série GSOT, Vishay Semiconductor
Immunité aux ESD conformément à la norme CEI 61000-4-2
Décharge de contact ±30 kV
Décharge d'air ±30 kV
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Tension inverse maximum à l'état bloqué
3.3V
Nombre de broche
3
Dissipation de puissance crête d'impulsion
509W
Courant d'impulsion crête maximum
30A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.97mm
Largeur
1.43mm
Courant de test
1mA
Courant de fuite inverse maximum
100µA
Standard automobile
AEC-Q101
Capacité
600pF
Longueur
3.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Protection contre les ESD à deux lignes, série GSOT, Vishay Semiconductor
Immunité aux ESD conformément à la norme CEI 61000-4-2
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