MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 4 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.41mm
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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2V
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Configuration du transistor
Single
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1
Température d'utilisation maximum
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Longueur
10.41mm
Largeur
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Matériau du transistor
Si
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