MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 600 mA 200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.6 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,80
€ 0,80 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,80 |
| 10 - 49 | € 0,73 |
| 50 - 99 | € 0,64 |
| 100 - 249 | € 0,61 |
| 250+ | € 0,55 |
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4
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5mm
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Hauteur
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